Микросхема SGA-5586Z DC-4GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Производитель: RFMD

Микросхема SGA-5586Z DC-4GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Производитель: RFMD
Производитель: RFMD
Код: 11961
Есть в наличии
133,00 грн
DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Виробник: RFMD

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Производитель: RFMD
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема HMC476SC70E SC70 (SOT343) SiGe HBT Gain Block MMIC Ampl. DC - 6 GHZ, Vs=5...12 V, Производитель: Hittite
Есть в наличии
Микросхема HMC476SC70E SC70 (SOT343) SiGe HBT Gain Block MMIC Ampl. DC - 6 GHZ, Vs=5...12 V, Производитель: Hittite
110,00 грн
Микросхема TQP369184 ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/ GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz, Производитель: Qorvo
Есть в наличии
Микросхема TQP369184 ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/ GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz, Производитель: Qorvo
110,00 грн
Микросхема PE42430MLAB-Z ИМС UltraCMOS® SP3T Reflective RF Switch 100 – 3000 MHz, Производитель: Peregrine
Есть в наличии
Микросхема PE42430MLAB-Z ИМС UltraCMOS® SP3T Reflective RF Switch 100 – 3000 MHz, Производитель: Peregrine
111,00 грн
Микросхема SGA-6586 Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-6586 Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Производитель: Sirenza
112,00 грн
Микросхема MAAVSS0006TR ИМС Аналог AT-255TR 3Volt Voltage Variable Attenuator 25 dB, DC - 2.5 GHz, Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MAAVSS0006TR ИМС Аналог AT-255TR 3Volt Voltage Variable Attenuator 25 dB, DC - 2.5 GHz, Производитель: MACOM
112,00 грн
Микросхема AG303-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: Qorvo
Есть в наличии
Микросхема AG303-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: Qorvo
112,00 грн
Микросхема QPA2463C ИМС SOT-363 50-4000 MHz Active Bias Cascadable SiGe HBT, P1dB=+10.8dBm, OIP3=+22.2dBm at 1950MHz, Vd=3V, Производитель: Qorvo
Есть в наличии
Микросхема QPA2463C ИМС SOT-363 50-4000 MHz Active Bias Cascadable SiGe HBT, P1dB=+10.8dBm, OIP3=+22.2dBm at 1950MHz, Vd=3V, Производитель: Qorvo
114,00 грн
Микросхема GVA-63+ SOT89 MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,0 dBm G=21,0 dB @ 0,8 GHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема GVA-63+ SOT89 MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,0 dBm G=21,0 dB @ 0,8 GHz, Производитель: Mini-Circuits
114,00 грн
Микросхема PE4245-51 ИМС SPDT Ultra CMOStm RF switch DC-4GHz, Производитель: Peregrine
Есть в наличии
Микросхема PE4245-51 ИМС SPDT Ultra CMOStm RF switch DC-4GHz, Производитель: Peregrine
116,00 грн