Микросхема SGA-6586 Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Производитель: Sirenza

Микросхема SGA-6586 Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Производитель: Sirenza
Производитель: Sirenza
Код: 8629
Есть в наличии
112,00 грн
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Производитель: Sirenza
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
Есть в наличии
Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
90,00 грн
Микросхема UPC2711TB-E3 ИМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Производитель: NEC
Есть в наличии
Микросхема UPC2711TB-E3 ИМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Производитель: NEC
90,00 грн
Микросхема SGC-2486Z Транзисторная сборка биполярная SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGC-2486Z Транзисторная сборка биполярная SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Производитель: RFMD
90,00 грн
Микросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Производитель: TriQuint
Есть в наличии
Микросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Производитель: TriQuint
90,00 грн
Микросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Производитель: Mini-Circuits
94,00 грн
Микросхема SP-2L+Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
Есть в наличии
Микросхема SP-2L+Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
94,00 грн
Микросхема BGA616H6327 ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA616H6327 ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Производитель: Infineon
96,00 грн
Микросхема MGA-86563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Производитель: Agilent
Есть в наличии
Микросхема MGA-86563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Производитель: Agilent
97,00 грн
Микросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Производитель: WJ Communication
Есть в наличии
Микросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Производитель: WJ Communication
98,00 грн