Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint

Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
Производитель: TriQuint
Код: 17572
Есть в наличии
90,00 грн
DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: TriQuint

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема MAAVSS0005 ИМС ВЧ SOT143 Voltage variable absorptive attenuator DC-2 GHz (RoHS Compliant Version of AT-259), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MAAVSS0005 ИМС ВЧ SOT143 Voltage variable absorptive attenuator DC-2 GHz (RoHS Compliant Version of AT-259), Производитель: MACOM
74,00 грн
Микросхема SGA-2286Z DC-5GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=14 dB, P1dB=7,0 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,2 V, Id=20 mA, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-2286Z DC-5GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=14 dB, P1dB=7,0 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,2 V, Id=20 mA, Производитель: Sirenza
76,00 грн
Микросхема SGA-1263Z ИМС ВЧ SOT-363 DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGA-1263Z ИМС ВЧ SOT-363 DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
76,00 грн
Микросхема SGA-4286Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-4286Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz, Производитель: Sirenza
77,00 грн
Микросхема AS169-73LF ИМС SOT6 PHEMT GaAs IC SPDT Switch DC-2.5 GHz +3V, Производитель: Skyworks
Есть в наличии
Микросхема AS169-73LF ИМС SOT6 PHEMT GaAs IC SPDT Switch DC-2.5 GHz +3V, Производитель: Skyworks
78,00 грн
Микросхема TDA7088T ИМС SO16 FM receiver circuit for battery supply 3V, Производитель: Philips
Есть в наличии
Микросхема TDA7088T ИМС SO16 FM receiver circuit for battery supply 3V, Производитель: Philips
81,00 грн
Микросхема QPA0363A ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier, Производитель: Qorvo
Есть в наличии
Микросхема QPA0363A ИМС ВЧ SOT-363 DC-5000 MHz Silicon Germanium MMIC amplifier, Производитель: Qorvo
82,00 грн
Микросхема PE4257 ИМС SPDT Absorptive Ultra CMOStm RF switch DC-3 GHz 50 Ohm, Производитель: Peregrine
Есть в наличии
Микросхема PE4257 ИМС SPDT Absorptive Ultra CMOStm RF switch DC-3 GHz 50 Ohm, Производитель: Peregrine
86,00 грн
Микросхема AG203-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA, Производитель: Qorvo
Есть в наличии
Микросхема AG203-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20 dB, P1dB=8 dBm, OIP3=20 dBm@900 MHz, Vd=4,05 V, Id=20 mA, Производитель: Qorvo
86,00 грн