Микросхема AG303-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: Qorvo

Микросхема AG303-63G ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: Qorvo
Производитель: Qorvo
Код: 25815
Есть в наличии
112,00 грн
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: Qorvo

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
ИМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: Qorvo
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
Есть в наличии
Микросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Производитель: TriQuint
90,00 грн
Микросхема UPC2711TB-E3 ИМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Производитель: NEC
Есть в наличии
Микросхема UPC2711TB-E3 ИМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Производитель: NEC
90,00 грн
Микросхема SGC-2486Z Транзисторная сборка биполярная SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGC-2486Z Транзисторная сборка биполярная SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Производитель: RFMD
90,00 грн
Микросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Производитель: TriQuint
Есть в наличии
Микросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Производитель: TriQuint
90,00 грн
Микросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Производитель: Mini-Circuits
94,00 грн
Микросхема SP-2L+Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
Есть в наличии
Микросхема SP-2L+Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
94,00 грн
Микросхема BGA616H6327 ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA616H6327 ИМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Производитель: Infineon
96,00 грн
Микросхема MGA-86563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Производитель: Agilent
Есть в наличии
Микросхема MGA-86563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Производитель: Agilent
97,00 грн
Микросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Производитель: WJ Communication
Есть в наличии
Микросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Производитель: WJ Communication
98,00 грн