Мікросхема SGA-5586Z DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Виробник: RFMD

Мікросхема SGA-5586Z DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Виробник: RFMD
Виробник: RFMD
Код: 11961
Є в наявності
133,00 грн
DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Виробник: RFMD

Доставка

Подробнее

Додати відгук

Дякую за відгук. Ваш коментар буде опубліковано після перевірки модератором!

Ваш коментар може бути першим
DC-4GHz High Performance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=18,7 dB, P1dB=15,8 dBm, Nf=2,6 dB)@1950 MHz, Vd=3,9V, Id=60 mA, Виробник: RFMD
Виробник: RFMD
Також вас можуть зацікавити
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Є в наявності
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Є в наявності
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Є в наявності
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Подібні товари
Мікросхема HMC476SC70E SC70 ( SOT343) SiGe HBT Gain Block MMIC Ampl. DC - 6 GHZ, Vs=5...12 V, Виробник: Hittite
Є в наявності
Мікросхема HMC476SC70E SC70 ( SOT343) SiGe HBT Gain Block MMIC Ampl. DC - 6 GHZ, Vs=5...12 V, Виробник: Hittite
110,00 грн
Мікросхема TQP369184 ІМС ВЧ SOT-363 InGaP/ GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz, Виробник: Qorvo
Є в наявності
Мікросхема TQP369184 ІМС ВЧ SOT-363 InGaP/ GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz, Виробник: Qorvo
110,00 грн
Мікросхема PE42430MLAB-Z ІМС UltraCMOS® SP3T Reflective RF Switch 100 – 3000 MHz, Виробник: Peregrine
Є в наявності
Мікросхема PE42430MLAB-Z ІМС UltraCMOS® SP3T Reflective RF Switch 100 – 3000 MHz, Виробник: Peregrine
111,00 грн
Мікросхема SGA-6586 Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza
Є в наявності
Мікросхема SGA-6586 Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza
112,00 грн
Мікросхема MAAVSS0006TR ІМС Аналог AT-255TR 3Volt Voltage Variable Attenuator 25 dB, DC - 2.5 GHz, Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MAAVSS0006TR ІМС Аналог AT-255TR 3Volt Voltage Variable Attenuator 25 dB, DC - 2.5 GHz, Виробник: MACOM
112,00 грн
Мікросхема AG303-63G ІМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: Qorvo
Є в наявності
Мікросхема AG303-63G ІМС ВЧ SOT-363 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: Qorvo
112,00 грн
Мікросхема QPA2463C ІМС SOT-363 50-4000 MHz Active Bias Cascadable SiGe HBT, P1dB=+10.8dBm, OIP3=+22.2dBm at 1950MHz, Vd=3V, Виробник: Qorvo
Є в наявності
Мікросхема QPA2463C ІМС SOT-363 50-4000 MHz Active Bias Cascadable SiGe HBT, P1dB=+10.8dBm, OIP3=+22.2dBm at 1950MHz, Vd=3V, Виробник: Qorvo
114,00 грн
Мікросхема GVA-63+ SOT89 MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,0 dBm G=21,0 dB @ 0,8 GHz, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема GVA-63+ SOT89 MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,0 dBm G=21,0 dB @ 0,8 GHz, Виробник: Mini-Circuits
114,00 грн
Мікросхема PE4245-51 ІМС SPDT Ultra CMOStm RF switch DC-4GHz, Виробник: Peregrine
Є в наявності
Мікросхема PE4245-51 ІМС SPDT Ultra CMOStm RF switch DC-4GHz, Виробник: Peregrine
116,00 грн