Мікросхема SGA-6586 Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza

Мікросхема SGA-6586 Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza
Виробник: Sirenza
Код: 8629
Є в наявності
112,00 грн
Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza

Доставка

Подробнее

Додати відгук

Дякую за відгук. Ваш коментар буде опубліковано після перевірки модератором!

Ваш коментар може бути першим
Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm, Виробник: Sirenza
Виробник: Sirenza
Також вас можуть зацікавити
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Є в наявності
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Є в наявності
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Є в наявності
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Подібні товари
Мікросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: TriQuint
Є в наявності
Мікросхема AG303-86G DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=20,5 dB, P1dB=14 dBm, OIP3=26 dBm@900 MHz, Vd=4,23 V, Id=35 mA, Виробник: TriQuint
90,00 грн
Мікросхема UPC2711TB-E3 ІМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Виробник: NEC
Є в наявності
Мікросхема UPC2711TB-E3 ІМС ВЧ Silicon MMIC Buffer Amplifier for DBS Tuner , Vcc=4,5-5,5 V, Gp=13 dB, P1dB=+1 dBm @ 2,9 GHz, Виробник: NEC
90,00 грн
Мікросхема SGC-2486Z Транзисторна збірка біполярна SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Виробник: RFMD
Є в наявності
Мікросхема SGC-2486Z Транзисторна збірка біполярна SOT86 50MHz to 4000MHz ACTIVE BIAS SILICON GERMANIUM CASCADABLE GAIN BLOCK, Gss=14,6 dB, P1dB=10,8 dBm, OIP3=23,5 dBm@1950 MHz, Vd=3 V, Id=25 mA, Виробник: RFMD
90,00 грн
Мікросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Виробник: TriQuint
Є в наявності
Мікросхема AG402-89G SOT-89 DC-6 GHz InGaP HBT Gain Block Gain=15 dB, P1dB=17 dBm, OIP3=31,5 dBm@900 MHz, Vd=4,91 V, Id=60 mA, Виробник: TriQuint
90,00 грн
Мікросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема SP-2G1+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 1200 to 2000 MHz, Виробник: Mini-Circuits
94,00 грн
Мікросхема SP-2L+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
Є в наявності
Мікросхема SP-2L+ Power Splitter/Combiner 2 Way-0° 50 Ohm 2700 to 4000 MHz
94,00 грн
Мікросхема BGA616H6327 ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Виробник: Infineon
Є в наявності
Мікросхема BGA616H6327 ІМС SOT-343 Silicon Germanium Broadband MMIC Amplifier DC to 2,7 GHz, Виробник: Infineon
96,00 грн
Мікросхема MGA-86563-TR1 ІМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Виробник: Agilent
Є в наявності
Мікросхема MGA-86563-TR1 ІМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier 5V LNA, Виробник: Agilent
97,00 грн
Мікросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Виробник: WJ Communication
Є в наявності
Мікросхема AG302-86G InGaP HBT Gain Block SOT-86 V=4,23V I=35mA Fmax=6,0GHz, Виробник: WJ Communication
98,00 грн