Микросхема QPA4586A ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V, Производитель: Qorvo

Микросхема QPA4586A ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V, Производитель: Qorvo
Производитель: Qorvo
Код: 36913
Есть в наличии
184,00 грн
ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V, Виробник: Qorvo

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
ИМС ВЧ SOT-86 DC-4000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier, Gss=19,9 dB, P1dB=16,3 dBm, IP3=30,1 dBm, Nf=2,7 dB @ 1950 MHz, Id=45 mA, Vd=3,2-3,8 V, Производитель: Qorvo
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема PSA-0012+ SOT-363 Low Noise MMIC Amplifier 0,05-6,0 GHz , Gain=14,2 dB, P1dB=22 dBm, Nf=2,4 GHz @ 2 GHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема PSA-0012+ SOT-363 Low Noise MMIC Amplifier 0,05-6,0 GHz , Gain=14,2 dB, P1dB=22 dBm, Nf=2,4 GHz @ 2 GHz, Производитель: Mini-Circuits
148,00 грн
Микросхема TEA6100 ИМС DIP20 FM/IF system and microcomputer-based tuning inte RFace 8,5V, Производитель: Philips
Есть в наличии
Микросхема TEA6100 ИМС DIP20 FM/IF system and microcomputer-based tuning inte RFace 8,5V, Производитель: Philips
149,00 грн
Микросхема MAAVSS0001 ИМС SOT25 1.8 - 2.5 GHz, 2.25 V Voltage Variable Absorptive Attenuator, 42 dB (RoHS* Compliant Version of AT-119), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MAAVSS0001 ИМС SOT25 1.8 - 2.5 GHz, 2.25 V Voltage Variable Absorptive Attenuator, 42 dB (RoHS* Compliant Version of AT-119), Производитель: MACOM
151,00 грн
Микросхема MSA-1105-TR1G Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,05...1,3 GHz, P1dB=17,5 dBm, Nf=3,6 dB, Gp=12,7 dB @ 0,5 GHz, Производитель: BROA DCOM/Avago
Есть в наличии
Микросхема MSA-1105-TR1G Транзисторная сборка биполярная ВЧ 0,05...1,3 GHz, P1dB=17,5 dBm, Nf=3,6 dB, Gp=12,7 dB @ 0,5 GHz, Производитель: BROA DCOM/Avago
151,00 грн
Микросхема CXE-1089Z SOT-89 MMIC Amplifier 50-1200 MHz 75 Ohm Gain=13 dB, Nf=3,0 dB, Pout=+18,5 dBm, Vd=3,3, 4,75 or 5 V DC, Id=110 mA, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема CXE-1089Z SOT-89 MMIC Amplifier 50-1200 MHz 75 Ohm Gain=13 dB, Nf=3,0 dB, Pout=+18,5 dBm, Vd=3,3, 4,75 or 5 V DC, Id=110 mA, Производитель: RFMD
151,00 грн
Микросхема CC1150RGVT ИМС RF Малопотр. передатчик на 315/433/868 и 915 MHz, корп. QLP16 4x4 mm, Производитель: Texas
Есть в наличии
Микросхема CC1150RGVT ИМС RF Малопотр. передатчик на 315/433/868 и 915 MHz, корп. QLP16 4x4 mm, Производитель: Texas
151,00 грн
Микросхема GALI-24+ SOT89 InGaP HBT MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,2 dBm G=22,6 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема GALI-24+ SOT89 InGaP HBT MMIC Amplifier DC-6 GHz P1dB=19,2 dBm G=22,6 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
153,00 грн
Микросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
154,00 грн
Микросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Производитель: Mini-Circuits
157,00 грн