Микросхема HMC479MP86E DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Производитель: Hittite

Микросхема HMC479MP86E DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Производитель: Hittite
Производитель: Hittite
Код: 13653
Есть в наличии
192,00 грн
DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Виробник: Hittite

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Производитель: Hittite
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Производитель: Mini-Circuits
154,00 грн
Микросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Производитель: Mini-Circuits
157,00 грн
Микросхема MGA-30689-BLKG ИМС СВЧ SOT89 0,04-2,6 GHz Flat Gain High Linearity Gain Block G=14,6 dB, OIP3=40 dBm, Nf=3,3 dB, P1dB=22,5 dBm @ 1950 MHz, Vd=5 V, Id=104 mA, Производитель: BROA DCOM/Avago
Есть в наличии
Микросхема MGA-30689-BLKG ИМС СВЧ SOT89 0,04-2,6 GHz Flat Gain High Linearity Gain Block G=14,6 dB, OIP3=40 dBm, Nf=3,3 dB, P1dB=22,5 dBm @ 1950 MHz, Vd=5 V, Id=104 mA, Производитель: BROA DCOM/Avago
157,00 грн
Микросхема LEE-49+ ИМС MMIC Amplifier DС-5,0 GHz , Gain=14,3 dB, P1dB=15,8 dBm, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема LEE-49+ ИМС MMIC Amplifier DС-5,0 GHz , Gain=14,3 dB, P1dB=15,8 dBm, Производитель: Mini-Circuits
157,00 грн
Микросхема SGA-6586Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-6586Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free, Производитель: Sirenza
159,00 грн
Микросхема SGA-6589Z DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGA-6589Z DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
163,00 грн
Микросхема SBA-5086Z СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SBA-5086Z СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86, Производитель: RFMD
163,00 грн
Микросхема MASWSS0169 ИМС ВЧ MSOP-10 DC - 3.0 GHz GaAs High Isolation Switch (RoHS Compliant Version of SW-439), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0169 ИМС ВЧ MSOP-10 DC - 3.0 GHz GaAs High Isolation Switch (RoHS Compliant Version of SW-439), Производитель: MACOM
163,00 грн
Микросхема ERA-33SM+ DC-3 GHz SMD Micro-X Monilitic Amplifier, Gain=18,7 dB, P1dB=16,6 dB @ 1 GHz, Vs=3,9-4,6 V, Id=40 mA, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема ERA-33SM+ DC-3 GHz SMD Micro-X Monilitic Amplifier, Gain=18,7 dB, P1dB=16,6 dB @ 1 GHz, Vs=3,9-4,6 V, Id=40 mA, Производитель: Mini-Circuits
163,00 грн