Мікросхема HMC479MP86E DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Виробник: Hittite

Мікросхема HMC479MP86E DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Виробник: Hittite
Виробник: Hittite
Код: 13653
Є в наявності
192,00 грн
DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Виробник: Hittite

Доставка

Подробнее

Додати відгук

Дякую за відгук. Ваш коментар буде опубліковано після перевірки модератором!

Ваш коментар може бути першим
DC-5 GHz SiGe HBT Cascadable Gain Block, P1dB=18 dBm, G=15 dB, Us=5...12 V, Виробник: Hittite
Виробник: Hittite
Також вас можуть зацікавити
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2866,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Виробник: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2869,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Виробник: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2712,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Виробник: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASWSS0115 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Виробник: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Є в наявності
Мікросхема BGA420 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Є в наявності
Мікросхема BGA2851,115 ІМС SOT-363 ВЧ підсилювач DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Виробник: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Є в наявності
Мікросхема BGA427 Транзисторна сбірка польова SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Є в наявності
Мікросхема BGA622E6327 Транзисторна збірка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Виробник: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASW-007221 ІМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Виробник: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Подібні товари
Мікросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема ERA-3+ DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz, Виробник: Mini-Circuits
154,00 грн
Мікросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема ERA-5XSM+ DC-4 GHz MMIC Amplifier, Gain=20,2 dB, P1dB=18,4 dB, Nf=3,5 dB @ 0,1 GHz, Vd=4,9 V, Id=65 mA, Виробник: Mini-Circuits
157,00 грн
Мікросхема MGA-30689-BLKG ІМС СВЧ SOT89 0,04-2,6 GHz Flat Gain High Linearity Gain Block G=14,6 dB, OIP3=40 dBm, Nf=3,3 dB, P1dB=22,5 dBm @ 1950 MHz, Vd=5 V, Id=104 mA, Виробник: BROA DCOM/Avago
Є в наявності
Мікросхема MGA-30689-BLKG ІМС СВЧ SOT89 0,04-2,6 GHz Flat Gain High Linearity Gain Block G=14,6 dB, OIP3=40 dBm, Nf=3,3 dB, P1dB=22,5 dBm @ 1950 MHz, Vd=5 V, Id=104 mA, Виробник: BROA DCOM/Avago
157,00 грн
Мікросхема LEE-49+ ІМС MMIC Amplifier DС-5,0 GHz , Gain=14,3 dB, P1dB=15,8 dBm, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема LEE-49+ ІМС MMIC Amplifier DС-5,0 GHz , Gain=14,3 dB, P1dB=15,8 dBm, Виробник: Mini-Circuits
157,00 грн
Мікросхема SGA-6586Z Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free, Виробник: Sirenza
Є в наявності
Мікросхема SGA-6586Z Транзисторна збірка біполярна P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4 GHz; 18 dBm Lead Free, Виробник: Sirenza
159,00 грн
Мікросхема SGA-6589Z DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Виробник: RFMD
Є в наявності
Мікросхема SGA-6589Z DC-3500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Виробник: RFMD
163,00 грн
Мікросхема SBA-5086Z СВЧ підсилювач DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86, Виробник: RFMD
Є в наявності
Мікросхема SBA-5086Z СВЧ підсилювач DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86, Виробник: RFMD
163,00 грн
Мікросхема MASWSS0169 ІМС ВЧ MSOP-10 DC - 3.0 GHz GaAs High Isolation Switch (RoHS Compliant Version of SW-439), Виробник: MACOM
Є в наявності
Мікросхема MASWSS0169 ІМС ВЧ MSOP-10 DC - 3.0 GHz GaAs High Isolation Switch (RoHS Compliant Version of SW-439), Виробник: MACOM
163,00 грн
Мікросхема ERA-33SM+ DC-3 GHz SMD Micro-X Monilitic Amplifier, Gain=18,7 dB, P1dB=16,6 dB @ 1 GHz, Vs=3,9-4,6 V, Id=40 mA, Виробник: Mini-Circuits
Є в наявності
Мікросхема ERA-33SM+ DC-3 GHz SMD Micro-X Monilitic Amplifier, Gain=18,7 dB, P1dB=16,6 dB @ 1 GHz, Vs=3,9-4,6 V, Id=40 mA, Виробник: Mini-Circuits
163,00 грн