Микросхема AFT05MS004NT1 RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V, Производитель: NXP

Микросхема AFT05MS004NT1 RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V, Производитель: NXP
Производитель: NXP
Код: 37702
Есть в наличии
123,00 грн
RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V, Виробник: NXP

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
RF Power LDMOS Transistor SOT-89 136-941 MHz 4 W 20,9 dB Vs=7,5 V, Производитель: NXP
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
25,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
27,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
28,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
31,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
35,00 грн
Похожие товары
Микросхема SGA-6389Z DC-4500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGA-6389Z DC-4500 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
100,00 грн
Микросхема ECG002B-G DC-6,0 GHz InGaP HBT Gain Block SOT89 G=20 dB, P1dB=15,5 dBm, Nf=3,8 dB @ 1 GHz, Vd=3,9 V, Id=45 mA, Производитель: WJ Communication
Есть в наличии
Микросхема ECG002B-G DC-6,0 GHz InGaP HBT Gain Block SOT89 G=20 dB, P1dB=15,5 dBm, Nf=3,8 dB @ 1 GHz, Vd=3,9 V, Id=45 mA, Производитель: WJ Communication
100,00 грн
Микросхема PE4251MLI ИМС MSOP-8 10-3000 MHz SPDT UltraCMOS RF Switch, Производитель: Peregrine
Есть в наличии
Микросхема PE4251MLI ИМС MSOP-8 10-3000 MHz SPDT UltraCMOS RF Switch, Производитель: Peregrine
100,00 грн
Микросхема AG602-89G InGaP HBT Gain Block V=5,1V I=75mA S21=21,6dB Fmax=3,5GHz, Производитель: WJ Communication
Есть в наличии
Микросхема AG602-89G InGaP HBT Gain Block V=5,1V I=75mA S21=21,6dB Fmax=3,5GHz, Производитель: WJ Communication
102,00 грн
Микросхема MGA-83563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier Psat=22,4 dBm, Gss=22 dB @ 2,4 GHz Id=152 mA, Vd=3 V, Производитель: Agilent
Есть в наличии
Микросхема MGA-83563-TR1 ИМС СВЧ SOT363 (SC-70) 0,5-6 GHz Low Noise GaAs MMIC Amplifier Psat=22,4 dBm, Gss=22 dB @ 2,4 GHz Id=152 mA, Vd=3 V, Производитель: Agilent
102,00 грн
Микросхема SCN-2-11+ SOT 1206 Power splitter/combiner 2 Way-0° 50 Ohm 800 to 1175 MHz, Производитель: Mini-Circuits
Есть в наличии
Микросхема SCN-2-11+ SOT 1206 Power splitter/combiner 2 Way-0° 50 Ohm 800 to 1175 MHz, Производитель: Mini-Circuits
102,00 грн
Микросхема RFSW6223 ИМС QFN12 10-6000 MHz DPDT Symmetric Switch, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема RFSW6223 ИМС QFN12 10-6000 MHz DPDT Symmetric Switch, Производитель: RFMD
102,00 грн
Микросхема RFSW6032 ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP3T Switch, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема RFSW6032 ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP3T Switch, Производитель: RFMD
102,00 грн
Діод CLA4606-085LF PIN-Діод обмежувальний 0,01-6 GHz, корп. QFN (2x2x0,9мм), Vr=75 V, Pd=10 W (1mks), If=1,5 A, Ctyp=0,3 pF, Производитель: Skyworks
Есть в наличии
Діод CLA4606-085LF PIN-Діод обмежувальний 0,01-6 GHz, корп. QFN (2x2x0,9мм), Vr=75 V, Pd=10 W (1mks), If=1,5 A, Ctyp=0,3 pF, Производитель: Skyworks
102,00 грн
Последние просмотренные товары
Резистор MFR0S4G0224T50 MFR0W4 220 кОм 2% 0,25 Вт ТКО100 250 В - 100 шт
Есть в наличии
Резистор MFR0S4G0224T50 MFR0W4 220 кОм 2% 0,25 Вт ТКО100 250 В - 100 шт
31,00 грн