Микросхема SGA-4386Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz, Производитель: RFMD

Микросхема SGA-4386Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz, Производитель: RFMD
Производитель: RFMD
Код: 13750
Есть в наличии
68,00 грн
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz, Виробник: RFMD

Доставка

Оплата

Подробнее

Добавить отзыв

Cпасибо за отзыв. Ваш комментарий будет опубликован после проверки модератором!

Ваш комментарий может быть первым
Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 4,5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=14,6 dB, Nf=3,1 dB @ 1,95 GHz, Производитель: RFMD
Также вас могут заинтересовать
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2866,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=24,3dB, Nf=3,9dB, Производитель: NXP
Код: 27765
10,00 грн
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2869,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=32,2dB, Nf=3,2dB, Производитель: NXP
Код: 27766
14,00 грн
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2712,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель1-3,2GHz, Gain=21,3dB, Nf=3,9dB, P1dB=4,8dBm, Производитель: NXP
Код: 29163
16,00 грн
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0115 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz (RoHS* Compliant Version of SW-485), Производитель: MACOM
Код: 22674
22,00 грн
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Есть в наличии
Микросхема BGA420 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,015A; f=1,8GHz; 16dBm; Pd=0,09W
Код: 79 1
24,00 грн
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Есть в наличии
Микросхема BGA2851,115 ИМС SOT-363 ВЧ усилитель DC-2,2GHz, Gain=25,2dB, Nf=3dB, Производитель: NXP
Код: 27764
26,00 грн
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Есть в наличии
Микросхема BGA427 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W
Код: 5590
27,00 грн
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Есть в наличии
Микросхема BGA622E6327 Транзисторная сборка полевая SOT343 Si-MMIC-Amplifier Ud=6V; Id=0,025A; f=1,8GHz; 7dBm; Pd=0,15W, Производитель: Infineon
Код: 19810
30,00 грн
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASW-007221 ИМС ВЧ SOT-363 GaAs SPDT Switch DC - 3,0 GHz (RoHS аналог SW-456), Производитель: MACOM
Код: 14738
34,00 грн
Похожие товары
Микросхема RF1602 QFN(2x2mm) 0,1-3,5 GHz SPDT RF Switch, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема RF1602 QFN(2x2mm) 0,1-3,5 GHz SPDT RF Switch, Производитель: RFMD
58,00 грн
Микросхема MASWSS0202 ИМС ВЧ PQFN-12 GaAs Broadband SPDT Switch DC - 6.0 GHz (RoHS* Compliant Version of MASWSS0070), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MASWSS0202 ИМС ВЧ PQFN-12 GaAs Broadband SPDT Switch DC - 6.0 GHz (RoHS* Compliant Version of MASWSS0070), Производитель: MACOM
62,00 грн
Микросхема AS193-73LF ИМС SOT6 PHEMT GaAs IC SPDT Switch DC-2.5 GHz +3V, Производитель: Skyworks
Есть в наличии
Микросхема AS193-73LF ИМС SOT6 PHEMT GaAs IC SPDT Switch DC-2.5 GHz +3V, Производитель: Skyworks
68,00 грн
Микросхема SKY13317-373LF ИМС 8-XFDFN GaAs SP3T switch 20 MHz-6 GHz, Производитель: Skyworks
Есть в наличии
Микросхема SKY13317-373LF ИМС 8-XFDFN GaAs SP3T switch 20 MHz-6 GHz, Производитель: Skyworks
68,00 грн
Микросхема RF1136 QFN12 DC-3,5 GHz Broadband Low Power SP3T Switch, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема RF1136 QFN12 DC-3,5 GHz Broadband Low Power SP3T Switch, Производитель: RFMD
70,00 грн
Микросхема MAAVSS0005 ИМС ВЧ SOT143 Voltage variable absorptive attenuator DC-2 GHz (RoHS Compliant Version of AT-259), Производитель: MACOM
Есть в наличии
Микросхема MAAVSS0005 ИМС ВЧ SOT143 Voltage variable absorptive attenuator DC-2 GHz (RoHS Compliant Version of AT-259), Производитель: MACOM
72,00 грн
Микросхема SGA-2286Z DC-5GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=14 dB, P1dB=7,0 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,2 V, Id=20 mA, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-2286Z DC-5GHz High Pe RFormance SiGe HBT MMIC Amplifier (Gss=14 dB, P1dB=7,0 dBm, Nf=3,5 dB)@1950 MHz, Vd=2,2 V, Id=20 mA, Производитель: Sirenza
74,00 грн
Микросхема SGA-1263Z ИМС ВЧ SOT-363 DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
Есть в наличии
Микросхема SGA-1263Z ИМС ВЧ SOT-363 DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadable Gain Block, Производитель: RFMD
74,00 грн
Микросхема SGA-4286Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz, Производитель: Sirenza
Есть в наличии
Микросхема SGA-4286Z Транзисторная сборка биполярная P86 Heterostructure bipolar transistor cascadeable gain block SiGe 5 GHz; P1dB=13,0dBm, Gss=12 dB, Nf=3,7 dB @ 1,95 GHz, Производитель: Sirenza
75,00 грн